SKM600GA12E4

IGBT4 Modules 1200V

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

SKM600GA17E4_SK.pdf

ID Code:	230850
Výrobce:	Semikron
Cena s DPH :	5 438,9500 Kč
Cena bez DPH :	4 495,0000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	na dotaz

Celkem skladem:	0 ks
Značení výrobce:	SKM600GA12E4
Centrální sklad Zdice:	0 ks
Jednotka::	ks

Přehled množstevních slev
Počet (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		4 495,0000 Kč		5 438,9500 Kč
12 +		3 744,0000 Kč		4 530,2400 Kč
36 +		2 560,0000 Kč		3 097,6000 Kč
144 +		2 388,0000 Kč		2 889,4800 Kč

IGBT4 Modules 1200V

Základní informace:

Značení výrobce	SKM600GA12E4
Kategorie	IGBT Full Silicon
Konfigurace:	single 1*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
Konstrukce:	1*(IGBT+D)
Počet obvodů (v pouzdře)	1 ks
Typ pouzdra:	Modul
Pouzdro [inch] :	SEMITRANS-4
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balení a hmotnost:

Jednotka:	ks
Hmotnost:	314 [g]
Typ balení:	BOX
Malé balení (počet jednotek):	12

Elektro-fyzikální parametry:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	913 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	702 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	2.46 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.8 [V]
t_r (Turn-on / rise time)	90 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	130 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	3400 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

*Rozměry (LWH)* [mm]:	106x61x37
T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.038 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²
Rthjc1 IGBT	0.049 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.086 [°C/W]
L - Délka	106 [mm]
W - Šířka	61 [mm]
H - Výška	37 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:

FZ600R17KE4

Související zboží - SKM600GA12E4

I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035 Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3