Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKR3F20/12

Fast Recovery Rectifier diode 1200V 26A/85°C

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKR3F20/12 Semikron
SKR3F20/12 Semikron
ks
ID Code:134793
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 454,960000 Kč
Cena bez DPH : 376,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:26 ks
Značení výrobce: SKR3F20/12
Centrální sklad Zdice: 26 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 376,000000 Kč454,960000 Kč
36 + 135,000000 Kč163,350000 Kč
180 + 128,000000 Kč154,880000 Kč
540 + 117,000000 Kč141,570000 Kč
Fast Recovery Rectifier diode 1200V 26A/85°C

Základní informace:

Značení výrobceSKR3F20/12 
Typ součástky:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Screw 
Konfigurace:single (1D) BK  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:StudB 
Pouzdro [inch] :M 5 DO-4 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:10.45 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):36 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)26 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)26 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)22 [A]
UF (maximum forward voltage)2.15 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)200 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)700 [A2s]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)600 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.2 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? SKR3F20/12 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace