Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

TIM1200DDM17-TSA000

IGBT 1700V Dual

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
TIM1200DDM17-TSA000 Dynex Semiconductor
TIM1200DDM17-TSA000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:183040
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 20 666,800 Kč
Cena bez DPH : 17 080,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: TIM1200DDM17-TSA000
Centrální sklad Zdice: 60 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 17 080,000 Kč20 666,800 Kč
3 + 16 653,000 Kč20 150,130 Kč
6 + 15 799,000 Kč19 116,790 Kč
12 + 14 518,000 Kč17 566,780 Kč
IGBT 1700V Dual

Základní informace:

Značení výrobceTIM1200DDM17-TSA000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 2*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*IGBT+2*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - D 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1185.5 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):
Velké balení (BOX):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)130 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)5680 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)230 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)11600 [nC]
Cin (Input Capacitance)109000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.022 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.044 [°C/W]
W - Šířka 140 [mm]
L - Délka 130 [mm]
H - Výška 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)130x140x38 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:172421 - CM1200DC-34N (MIT) 
Alternativa 2:171483 - FF1200R17KP4_B2 (INF) 
Alternativa 3:185065 - DIM1200DDM17-PT500 (DYN) 
Podobné výrobky 1:CM1200DC-34S 
Podobné výrobky 2:2MBI1200VT-170E 
Podobné výrobky 3:MBM1200E17D 
Podobné výrobky 4:GD1200SGL170C3S 

Potřebujete poradit ? TIM1200DDM17-TSA000 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace