V košíku nemáte žádné položky

V30200C

Dioda Schottky Si THT diskrétní

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

ID Code:	132091
Výrobce:	Vishay
Cena s DPH :	64,130 Kč
Cena bez DPH :	53,000 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	Skladem
Celkem skladem:	467 ks
Značení výrobce:	V30200C
Centrální sklad Zdice:	467 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

200V 2x15A/25°C Ifsm=250A SK ,

Hodnota

Mezera (podle čísla výrobku)

999.99 [mm]

Značení výrobce	V30200C
Typ pouzdra:	THT
Pouzdro:	TO-220AB
Kategorie	Diode Schottky THT
Typ součástky:	Diode Schottky Silicon
Konfigurace:	2xDioda, spol.katoda ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Počet obvodů (v pouzdře)

2 ks

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	200 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	30 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	30 [A]
U_F (maximum forward voltage)	1.1 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	160 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)	10000 [V/µs]

Typ materiálu:

Si-Silicon

T_min (minimální pracovní teplota)	-40 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	2 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²

Počet PIN (vývodů)	3
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Alternativa 1:

MBR30200PT

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:*
Souhlasím se zpracováním osobních údajů pro zpracování mého dotazu Více informací

Vaše jméno	Váš email
e-mail Vašeho známého
Podívej se na https://www.semic.cz/v30200c-1/
Opište kod z obrázku