Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk: jazyk_cz   Kč:    
V košíku nemáte žádné položky

VN5160S-E

Gate Drivers Sngl Ch HiSide Drivr

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
VN5160S-E ST Microelectronics
VN5160S-E ST Microelectronics
VN5160S-E ST Microelectronics
Zboží již není skladem
ID Code:178393
Výrobce:ST Microelectronics
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: VN5160S-E
Jednotka:: ks
Gate Drivers Sngl Ch HiSide Drivr

Základní informace:

Značení výrobceVN5160S-E 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET Smart - High Side 
Konfigurace:High side  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*Smart FET 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:SMD 
Pouzdro:SO- 8 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.09 [g]
Malé balení (počet jednotek):2000 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 36 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
RM - Rozteč vývodů1.27 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů [mm]
Počet PIN (vývodů)
W - Šířka 3.9 [mm]
L - Délka 8.65 [mm]
H - Výška 1.75 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SO- 8 [mm]
Rozměry vývodů0,41x0,25 [mm]
Lv - Délka vývodů1.1 [mm]

Potřebujete poradit ? VN5160S-E ST Microelectronics

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace